美科学家开发出新兴微型化无机LED技术
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第B08期93-93,共1页
Bulletin of the Chinese Ceramic Society
-
1王占国,张泽华.半导体薄层、超薄层异质外延技术新进展[J].中国科学基金,1992,6(1):25-29.
-
2安捷伦为户外标志和信号应用推5mm椭圆形AlInGaP LED[J].电子与电脑,2005,5(12):48-48.
-
3笑生.SiCl4/CH4/Ar基等离子体中AlInGaP和GaAs的RIE[J].等离子体应用技术快报,1996(2):4-5.
-
4无.厚度为0.35mm的发光三色LED[J].今日电子,2005(8):108-108.
-
5Vishav公司推出超亮表面封装LED[J].中国照明,2005(7):93-93.
-
6大功率600dpi LED打印头[J].电子产品世界,2004,11(01A):124-125.
-
7文静,文玉梅,李平,李恋,朱永.影响AlInGaP LED光致发光与电致发光谱的决定性因素[J].光电子.激光,2010,21(5):659-663. 被引量:11
-
8甄丽娟,刘明,商立伟,涂德钰,刘兴华,刘舸.有机半导体薄膜层的图形化方法[J].微细加工技术,2007(3):34-38.
-
9华文玉,陈存礼.判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法[J].电子学报,1999,27(8):126-127. 被引量:1
-
10张惠东.LED产品认证杂谈[J].中国照明,2011(9):71-75.
;