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宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程
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摘要
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体),发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。
出处
《中国集成电路》
2009年第9期5-5,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
半导体制造
嵌入式闪存
微米
制程
宏
逻辑技术
闪存技术
自对准
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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中国集成电路
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