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场效应管设计

The Layout of the EFT
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摘要 本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑,特殊的MOS管还要考虑相关许多其它因素,以及理论与实践结合后的取舍。 This article Summarizes the distinguish and layout of the Field-Effect-Transistor. Layout depends on the conventional proceeding. For the specific MOSFET, we also think about a number of other factors. In relation to the selection after according to the conjuncture of theory and practice.
出处 《山东电子》 1998年第4期28-29,共2页 Shandong Electronics
关键词 场效应管 阈电压 输入阻抗 击穿电压 设计 FET Trans conductance Input impedance Breakdown voltage
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