IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30％，功耗降低40％，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。