摘要
采用0.18μm1.8V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成。测试结果表明在1.575GHz时,工作电流8mA,增益20dB,噪声系数小于1.7dB,IIP3为-10dBm。
A CMOS LNA matching with on-chip inductor for GPS receiver was designed and fabricated using 0.18 μm mixed CMOS progress.The LNA worked at 8 mA/1.8 V,exhibited 20 dB gain with noise figure below 1.7 dB and-10 dBm IIP3.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期356-359,共4页
Research & Progress of SSE