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CFZ单晶的生产及特点
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职称材料
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摘要
本文介绍了一种全新的硅单晶生长方法。通过大量实验对CFZ法生长技术和特点作了描述,并对CFZ的应用作了讨论。
作者
沈浩平
李翔
昝兴利
汪雨田
纪秀锋
林键
机构地区
天津市半导体材料厂
电子部第四十六研究所
出处
《半导体杂志》
1998年第3期24-25,共2页
关键词
半导体
硅单晶
掺杂
CFZ法
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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1
义仡.
FZ法生长Ba1—xSrxTiO3单晶[J]
.电子材料快报,1996(3):11-12.
2
黄义贞.
FZ法生长CdS单晶[J]
.电子材料快报,1996(3):7-8.
半导体杂志
1998年 第3期
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