先进计算机芯片用纳米铜棒

美国纽约的Rensselaer综合技术研究所新近研究成功一种可用作新一代三维集成计算机芯片连接层的纳米铜棒制取方法。研究者们发现细小的纳米铜棒采取300℃左右的低温退火，能使得纳米棒适合于热敏电子器件。通过间断汽相沉积过程并将纳米铜棒暴露于大气中吸收氧，随后沉积时受到氧化的Cu有助于防止汽化铜原子迁移出纳米铜棒端部。