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磷钨酸涂覆ISFET制作DrugFET的研究 被引量:1

Study on the Ion Sensitive Field Effect Transistor Modified with Phosphotungstic Acid to Make DrugFET
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摘要 用磷钨酸涂覆离子敏感场效应晶体管(ISFET)制成药物敏感场效应晶体管(DrugFET)。该器件具有全固态化、易微型化、集成化和多功能化等特点。用其对药物制剂的含量进行测定,所得结果和药典分析结果一致。 The ion sensitive field effect transistor(ISFET) modified with phosphotungstic acid is presented,and a kind of DrugFET is made.It's a solid state,small size and can be miniaturized and integrated.It has been used for the determination of dioxopromethazine in medicinal tablet.The results were in agreement with the pharmacopoeia of China.
作者 李先文 黄强
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期45-46,50,共3页 Semiconductor Technology
基金 陕西省科学基金
关键词 磷钨酸 离子敏感 场效应晶体管 药物分析 ISFET Phosphotungstic acid Ion sensitive field effect transistor Drug analysis
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献21

  • 1牛文成,兰世明.有机敏感膜K^+—ISFET的研究[J].化学传感器,1994,14(1):63-65. 被引量:1
  • 2陈伟平,王东红,虞,王贵华.pH-ISFET库仑滴定系统特性研究[J].化学通报,1994(5):62-64. 被引量:2
  • 3虞--,传感器技术,1992年,1期,49页
  • 4周燕真,南京大学学报,1992年,28卷,2期,255页
  • 5余宝明,生物化学与生物物理进展,1992年,19卷,6期,451页
  • 6虞--,传感器技术,1991年,5期,57页
  • 7虞--,化学传感器,1991年,11卷,1期,51页
  • 8Cui Chenglie,Sensors and Actuators B,1990年,1卷,1/6期,421页
  • 9张维新,半导体传感器,1990年
  • 10Liu B D,Int J Electronics,1989年,67卷,1期,59页

共引文献21

同被引文献2

引证文献1

二级引证文献3

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