飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率

下载PDF

导出

摘要飞兆半导体公司全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助于提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值55pF）和总体栅极电荷（1nC），以提升DC—DC升压设计的效率。FDFME3N311ZT采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，

作者本刊通讯员

出处《电子与封装》 2009年第10期48-48,共1页 Electronics & Packaging

关键词飞兆半导体公司设计实现 DC 升压开关高效率步进高频

分类号 TN624 [电子电信—电路与系统] TM564 [电气工程—电器]

引文网络
相关文献

1许建平.零电压准谐振升压开关直流变换器电路分析[J].电子科学学刊,1992,14(2):142-148. 被引量：1
2黄剑平,沈汉鑫.基于NCP3065的LED升压驱动电路设计[J].电子器件,2014,37(2):245-248.
3杜社雄.单节电池供电的DC-DC变换器[J].家庭电子,2005(06X):41-41.
4毛兴武,祝大卫.升压形状稳压电源[J].无线电,1994(1):42-43.
5用于高频步进DC／DC的升压开关[J].今日电子,2009(12):66-66.
6张维强,李永建,薛刚,曹磊.1kW推挽升压开关电源设计[J].河北工业大学学报,2016,45(5):7-15. 被引量：3
7用于高频步进DC／DC的升压开关[J].今日电子,2010(3):54-54.
8梁启文.一款DC-DC升压开关电源的设计[J].自动化技术与应用,2008,27(4):123-125. 被引量：6
9基于TurboFET技术的MOSFET，开关损耗更低、开关速度更快[J].今日电子,2009(1):111-112.
10单电感器大功率降压——升压DC/DC控制器[J].电子与电脑,2005(5):36-36. 被引量：1

电子与封装

2009年第10期

浏览历史

内容加载中请稍等...

飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史