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有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT
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摘要
本文给出了制作在有源矩阵场发射显示(AMFED)器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列(p-SiFEA)与薄膜晶体管(TFT)。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射,从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。
出处
《光电技术》
2009年第3期26-27,共2页
关键词
FED器件
有源矩阵
TFT
多晶硅
集成
FEA
场发射阵列
玻璃基底
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
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光电技术
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