有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT

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摘要本文给出了制作在有源矩阵场发射显示（AMFED）器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列（p-SiFEA）与薄膜晶体管（TFT）。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射，从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。

出处《光电技术》 2009年第3期26-27,共2页

关键词 FED器件有源矩阵 TFT 多晶硅集成 FEA 场发射阵列玻璃基底

分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学] TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]

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