英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果

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摘要 10月28日,英特尔公司与恒忆(Numonyx B.V.)公布了一项突破性的相变存储器(PCM)研究成果,这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路,能够为随机存取非易失性存储器和存储应用降低所占用的空间。

出处《微电脑世界》 2009年第11期19-19,共1页 PC World China

关键词相变存储器英特尔公司研究成果突破性技术非易失性存储器 64Mb 研究人员

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] F471.266 [经济管理—产业经济]

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