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国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述(六)
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摘要
3.14计量 在2008年,计量技术工作组专注于对光刻计量和前端工艺计量技术需求的更新。新的光刻工艺,例如二次图形生成、隔离层二次图形生成(spacer double patterning),以及二次曝光,都给计量带来了相当困难的挑战。计量技术工作组和光刻技术工作组一起努力,评估了图1所显示的计量技术需求的现状。所有形式的二次图形生成都导致关键尺寸和边墙角度的两种分布。
作者
王洪波
出处
《中国集成电路》
2009年第11期28-32,38,共6页
China lntegrated Circuit
关键词
半导体技术
路线图
计量技术
综述
国际
光刻工艺
图形生成
技术需求
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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