用RF PECVD方法形成氮化碳薄膜
-
1马民.用PECVD制备的非晶形SiC薄膜[J].等离子体应用技术快报,1997(6):16-17.
-
2李建保,孔向阳,范守善.C_3N_4──替代金刚石的新材料[J].高技术通讯,1994,4(6):44-45.
-
3黄世萍,汪文川.Structural and Dynamic Properties of Amorphous Silicon： Tight-Binding Molecular Dynamics Simulation[J].Chinese Physics Letters,2004,21(12):2482-2485.
-
4褚连青.采用CVD技术制备晶体C—N膜[J].电子材料快报,1996(8):5-6.
-
5周之斌,崔容强.氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性[J].科学通报,1995,40(21):1969-1972. 被引量：4
-
6八(金刄)吉文,林良一,韩美.SiH_4的制造方法[J].低温与特气,1986,4(4):20-25.
-
7于威,阎正卯,陈艳梅,丁振瑞,韩理,李晓伟,傅广生.XeCl准分子溅射碳靶合成CN薄膜[J].量子电子学报,1998,15(1):111-111.
-
8刘秋香,王金斌,杨国伟.液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶[J].微细加工技术,1998(2):24-30. 被引量：6
-
9蔡宏盛,邱欣庆,张胜雄,刘海北.CO_2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜[J].中国激光,2001,28(1):36-40. 被引量：2
-
10文岐业,张怀武,蒋向东,石玉,唐晓莉,张万里.Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices[J].Chinese Physics Letters,2004,21(5):941-944.
;
