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室温下ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的子带跃迁 被引量:2

SUBBAND TRANSITIONS IN ZnCdSe ZnSe COMPOUND SUPPERLATTICES AT ROOM TEMPERATURE
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摘要 通过在室温下对ZnCdSe-ZnSe组合超晶格结构的电调制反射谱的测量,观测到分别来自两组超晶格的激子跃迁,由曲线拟合出的跃迁能量与由包络函数近似计算得到的能量相符合. The transitions from two groups superlattices was observed, by measuring its electro modulated reflectance spectra, the transition energies obtained by the curve fitting are coincide with the results obtained by calculating from envelope functuin approximate including strain.
出处 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期207-211,共5页 Chinese Journal of Luminescence
基金 国家攀登计划项目 国家自然科学重大基金 国家自然科学基金
关键词 组合超晶格 子带跃迁 锌镉硒 半导体 硒化锌 ZnCdSe ZnSe compound superlattices, electro modulated reflectance spectra
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Tang Y S,Semicond Sci Technol,1989年,4卷,871页
  • 2Asai H,J Appl Phys,1983年,54卷,2052页

同被引文献4

  • 1Guan Z P,Phys Rev B,1997年,56卷,15期,9589页
  • 2Guan Z P,Jpn J Appl Phys,1996年,35卷,11B期,L1486页
  • 3Ding J,Phys Rev Lett,1992年,69卷,11期,1707页
  • 4Guan Z P,Appl Phys Lett,1988年,72卷,14期,1688页

引证文献2

二级引证文献2

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