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晶种容量表面积的低温脱硅动力学

Desilicon Dynamics of Crystal Seed Capacity Surface Area at Low Temperature
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摘要 研究了品种容量表面积的低温脱硅动力学,建立了低温脱硅动力学的经验公式及溶液中SiO2含量与脱硅时间的曲线方程,探索了晶种的选择及品种的循环利用。晶种容量表面积的作用是随溶液中SiO2介稳浓度的升高而增强,又随介稳浓度的降低而减弱。增大晶种容量表面积能加快脱硅速度。 The desilicon dynamics of crystal seed capacity surface area at low temperature is studied in this paper,the empirical formula of low temperature desilicon dynamics and the curve education between the content of SiO2, and desilicon time are obtained. Also the choice of the crys tal seed and it's reuse are discussed. The pole of the crystal seed capacity surface area is increasedwith the improving of the SiO2, metastable concentration. Increasing crystal seed capacity surfacearea can make the desilicon speed higher.
出处 《粉体技术》 1998年第3期8-13,共6页
关键词 容量表面积 脱硅动力学 晶种 氧化铝 铝生产 capacity surface area desilicon speed dynamics crystal seed
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参考文献5

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