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英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果
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摘要
英特尔与恒忆(Numony)公司公布了一项突破性的相变存储器(PCM)研究成果,这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。
出处
《世界电子元器件》
2009年第11期20-20,共1页
Global Electronics China
关键词
相变存储器
研究成果
突破性
英特尔
技术
非易失性存储器
研究人员
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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世界电子元器件
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