摘要
本文论述了GaN的三种生长方法(即MOCVD、MBE和HVPE法)及关键技术,探讨了Ⅲ-V族氮化物半导体的发展趋势.
出处
《四川有色金属》
1998年第3期9-13,共5页
Sichuan Nonferrous Metals
同被引文献8
-
1华文玉,陈存礼.用挖补圆盘法检测金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触性能[J].电子学报,1997,25(8):33-36. 被引量：7
-
2MOTAYED A, BATHE R, WOOD M C, et al. Electrical,thermal, and microstructural characteristics of Ti/Al/Ti/Au multilayer Ohmic contacts to n-type GaN[J]. J Appl Phys, 2003, 93(2): 1087- 1094.
-
3LEE C T, KAO H W. Long-term thermal stability of Ti/Al/Pt/Au Ohmic contacts to n-type GaN [J]. Appl Phys Lett, 2000, 76(17): 2364- 2366.
-
4JACOBS B, KRAMER M C J C M, GELUK E J, et al.Optimisation of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on AlGaN/GaN FET structures[J]. J of Crystal Growth,2002, 241: 15- 18.
-
5KIM J K, JANG H W, LEE J L. Mechanism for Ohmic contact formation of Ti on n-type GaN investigated using synchrotron radiation photoemission spectroscopy [J]. J Appl Phys, 2002, 91(11): 9214-9217.
-
6LIU Q Z, LAU S S, A review of the metal-GaN contact technology [J]. Solid-State Electron, 1998,42(5): 667-691.
-
7HILSENBECK J, NEBAUER E, WURFL J, et al. Aging behavior of AlGaN/GaN HFETs with advanced ohmic and Schottky contacts[J]. IEE Electronics Letters,2000, 36(11): 980-981.
-
8刘磊,陈忠景,何乐年.n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火[J].半导体光电,2004,25(2):158-161. 被引量：2
-
1蒋荣华,肖顺珍,李艳.氮化物半导体的研究进展[J].半导体技术,2000,25(6):16-20. 被引量：1
-
2张桂成.我国MBE,MOCVD化合物半导体的新进展[J].电子材料（机电部）,1991(2):17-21.
-
3Laura peters,Associate Editor,郭静堤.MBE的需求不断增长[J].微细加工技术,1991(2):81-87.
-
4孔梅影.中国分子束外延技术的发展[J].半导体情报,1991,28(6):2-4. 被引量：2
-
5氮化物半导体发光器件及其制作方法[J].红外,2001(8):27-27.
-
6庶民.GaN材料的现状[J].电子材料快报,1998(4):1-2.
-
7毕叔和.几种Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体材料的研究热点[J].热固性树脂,1999,14(4):114-117. 被引量：3
-
8郭宝增.分子束外延(MBE)技术的最新发展[J].半导体光电,1990,11(4):370-375.
-
9胡天斗,许继宗,梁基本,庄蔚华.MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光[J].Journal of Semiconductors,1989,10(3):222-226.
-
10姜力,吴苍生,王玉田,高维宾.MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m]_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(2):86-92. 被引量：8
