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新照明系统的高分辨率光刻——采用斜入射照明和瞳面滤波器的投影曝光法

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摘要１前言目前半导体ＩＣ中的最小特征尺寸已与光刻用的光波长非常接近，根据公式Ｒ＝Ｋ１λ／ＮＡ，要使加工尺寸进一步微细化，必须使波长再缩短，或者使光学透镜的数值孔径ＮＡ增大，或提高抗蚀剂的性能。过去曾把增大ＮＡ作为提高分辨率的主要方向，但根据ＤＯＦ＝Ｋ２λ...

作者吴翠英韩安云何恩生

出处《半导体情报》 1998年第5期60-63,共4页 Semiconductor Information

关键词光刻半导体器件投影曝光法制造工艺

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1998年第5期

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