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光刻技术的发展及展望
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摘要
本文综述了制造集成电路、声表面波器件、微波哗啦的关键工艺一光刻技术的发展,对式、接近式、投影曝光技术分步重复曝光技术及直接扫描成象曝光技术以及所用的曝光光泊-紫外光、X射线、电子束、离子束光源对线条的分辨率、利弊作了对比,并对光刻技术的发展趋势作了简述。
作者
苟永明
机构地区
中国航天工业总公司测控公司
出处
《上海微电子技术和应用》
1998年第3期4-9,共6页
关键词
光刻技术
光源
分辨率
IC
集成电路
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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上海微电子技术和应用
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