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集成驱动IR2113功率级中瞬态问题的处理 被引量:3

Transient Problem of Integrated Driver IR2113 in Power Level
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摘要 根据集成驱动电路所具有外围元件少,驱动简单的优点,针对集成驱动IR2113的使用过程中所遇到的VSS端负过冲过大的问题,从寄生参数的角度进行了分析,提出了一种解决方法.试验结果证明了此种方法的有效性. Integrated circuit driver has been accessed to a wide range of applications because of its unique advantages. In this paper, the problem of Vss negative overshoot is encountered when using the integrated driver IR2113. From the perspective of parasitic parameters, a method has been proposed. The experiments verify that this method is effective.
出处 《机械与电子》 2009年第11期70-72,共3页 Machinery & Electronics
关键词 集成驱动 IR2113 负过冲 integrated driver IR2113 negative overshoot
  • 相关文献

参考文献3

  • 1International Reetifier. High voltage MOSFET drive IR2113[Z]. Date Sheet No. PD - 6. 030C,2008.
  • 2田颖,陈培红,聂圣芳,卢青春.功率MOSFET驱动保护电路设计与应用[J].电力电子技术,2005,39(1):73-74. 被引量:62
  • 3王兆安 黄俊.电力电子技术[M].北京:机械工业出版社,2002..

二级参考文献2

共引文献153

同被引文献23

引证文献3

二级引证文献13

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