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低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展

Progress in Preparation of Nano-sizedⅣElement Semiconductors Materials
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摘要 低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景。 Low-dimensional semiconductors nanomaterials attract much attention due to their special electrical and optical properties. The progress in preparation of nano-sized Ⅳ element semiconductors is summarized, and these synthesis methods are classified. The further research foreground is put forward.
出处 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2009年第2期75-78,共4页
基金 浙江理工大学教育部重点实验开放基金(2008005)
关键词 纳米材料 半导体 nanomterials, semiconductors, silicon, germanium
  • 相关文献

参考文献1

  • 1William D. King,Deborah L. Boxall,Charles M. Lukehart. Nanoclusters of Silicon and Germanium[J] 1997,Journal of Cluster Science(2):267~292

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