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安森美半导体推出新型高密度沟槽MOSFET
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摘要
安森美半导体(ON Semieonductor,)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOS—FET采用DPAK、SO-8FL、?8FL及SOIC-8封装,为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
出处
《电子元器件应用》
2009年第12期I0002-I0002,共1页
Electronic Component & Device Applications
关键词
MOSFET
安森美半导体
金属氧化物半导体场效应晶体管
沟槽
高密度
同步降压转换器
开关性能
N沟道
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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