EDMOS的工艺和电性模拟

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摘要 EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内,如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压,正归功于它们的优越性,这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管.

作者李丽

机构地区无锡职业技术学院

出处《中国新技术新产品》 2009年第24期13-14,共2页 New Technology & New Products of China

关键词 EDMOS Tsu4 深亚米半导体制造工艺和电性模拟TCAD

参考文献4

1E.Arnold.‘‘Silicon-on-Insulator Devices for High Voltage and Power IC Applications,‘‘[].Journal of the Electrochemical Society.1994
2B.Murari.‘‘Smart Power Technology and the Evolution from Protective Umbrella to Complete System,‘‘[].ProcIntlElectron Devices Meeting.1995
3N.Aiello,,A.L.Barbera,,S.Sueri.‘‘Smart Power Transistors for Electronic Ballasts,‘‘[].ProcApplied Power Electronics Conference and Exposition.1997
4Baliga B J.An overview of smart power technology[].IEEE Transactions on Electron Devices.1991

1熊腊森.IR2110高压MOS栅极驱动器的功能及应用[J].电力电子技术,1996,30(1):59-61. 被引量：6
2新热载流子退化现象的分析：LDD nMOSFET的“W”或“S”形演化[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(2):68-69.
3陈学良,王自惠.非对称轻掺杂漏(LDD)MOSFET[J].Journal of Semiconductors,1990,11(2):136-139.
4余山,章定康,黄敞.轻掺杂漏(LDD)MOS FET工艺研究[J].微电子学与计算机,1989,6(1):33-35. 被引量：2
5郑庆平,章倩苓,阮刚.轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟[J].Journal of Semiconductors,1989,10(10):754-762.
6SSR反激电源管理系列芯片[J].今日电子,2017,0(4):67-68.
7汪木兰,顾绳谷.SPIC在雷达伺服系统中的应用[J].电力电子技术,2001,35(5):3-5. 被引量：2
8蔡建祥.一种基于静态存储器微缩的轻掺杂漏离子注入光阻厚度的优化[J].中国科技纵横,2013(16):202-203.
9刘海波,郝跃,张进城,刘道广.LDD NMOS器件热载流子退化研究[J].微电子学,2002,32(6):445-448. 被引量：1
10章定康,余山,黄敞.用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺[J].微电子学与计算机,1994,11(1):46-48. 被引量：2

中国新技术新产品

2009年第24期

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