微电子应用中化学镀沉积的缺陷控制与工艺控制

申请（专利）号：CN200680042540．X：申请日：2006．09．19：公开（公告）号：Cn101506953：公开（公告）日：2009．08．12；申请（专利权）人：恩索恩公司；地址：美国康耐提格西海文市：发明（设计）人：陈青云、查尔斯·巴尔韦德、文森特·派纳卡西奥、尼古拉·彼德罗夫、丹尼尔·斯屈奇，克里斯蒂安·威特，理查德·赫图欠斯。