摘要
利用锁相放大器、单色仪、Xe灯光源等搭建了表面光电压谱检测仪.基于表面光电压谱技术的原理,并借助场诱导表面光电压谱测定了半导体材料的光伏响应、导电类型、能带隙和表面电荷分布.
A surface potovoltage spectroscopy （SPS） experiment system is set up, which consisted of lock-in amplifier, monochromator and Xe lamp. Based on the theory of surface potovoltage spectroscopy and electric field-induced surface photovoltage spectroscopy （EFISPS）, potovoltage response, conduction type, band-gap and distribution of surface charge are measured.
出处
《物理实验》
北大核心
2009年第12期1-4,10,共5页
Physics Experimentation
基金
教育部世行贷款21世纪初高等教育教学改革项目(No.1283B02012)
2006年度中央与地方共建实验室共建专项资金项目(No.0610003)
河南大学2008年度教学改革项目(No.0812016)
关键词
半导体表(界)面
光电性质
表面光电压谱
surface and interface of semiconductor
photoelectric property
surface photovoltage spectroscopy
