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具有挠曲电效应的纳米电介质变分原理及控制方程 被引量：4

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摘要 纳米电介质具有较强的挠曲电效应,并且该效应与大的应变梯度相耦合.在纳米尺度,静电力不能被忽略.我们基于电学焓,建立了可考虑应变及极化梯度效应以及静电力影响的纳米电介质变分原理.由此变分原理,导出了其控制方程,给出了广义静电应力的表达式.广义静电应力由两部分组成,一部分为与极化及应变有关的Maxwell应力,另一部分为与极化梯度及应变梯度有关的应力.我们的工作为研究纳米电介质中的力电耦合问题提供了基础.
作者 胡淑玲 申胜平
机构地区 西安交通大学航天航空学院强度与振动教育部重点实验室
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 北大核心 2009年第12期1762-1769,共8页
基金 国家重点基础研究发展计划(编号:2007CB707702) 国家自然科学基金(批准号:10672130 10972173)资助项目
关键词 挠曲电效应 变分原理 控制方程 电介质 静电应力 纳米尺度
分类号 O482.4 [理学—固体物理]
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参考文献2

二级参考文献14

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共引文献6

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引证文献4

二级引证文献11

中国科学（G辑）
2009年 第12期

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