摘要
采用真空蒸镀的方法,制备了以ADN为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件。器件的结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPBx(15 nm)/ADN(25+dnm)/BCP(8 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al。通过调整ADN层的厚度,研究了器件的发光性能。测试结果表明,器件在6 V电压时电流效率达到最大,为2.77 cd/A;在16 V时亮度达到最大,为7 227 cd/m2。当ADN的厚度为30 nm、器件的电压从5 V变化到16 V时,色坐标在(0.21,0.32)至(0.19,0.29)之间,均在蓝光区域。
Using ADN as the emitting layer, high efficient undoped blue organic light-emitting diodes(OLEDs) with a typical structure of (ITO)/ 2T-NATA(15 nm)/ NPBx(15 nm)/ ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al were fabricated via thermal vacuum deposition method. This device has a maximum luminous efficiency of 2. 77 cd/A at 6 V and maximum luminance of 7 227 cd/m62 at 16 V. The CIE coordinates of the device are within the blue region when the thickness of ADN is 30 nm and the voltage changes among the range of 6-16 V.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期842-844,856,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
吉林省科技发展计划项目(20050523
20080528)
吉林省教育厅科研计划项目([2003]25
[2004]54
[2007]154)
四平科技局计划项目(四科合字第2005007号
四科合字第2006008号)