中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40及55纳米

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摘要 C114讯 10月15日早间消息（常山）中芯国际宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术将延伸至40纳米以及55纳米。

出处《信息通信》 2009年第6期4-4,共1页 Information & Communications

关键词纳米工艺互补型金属氧化物半导体技术国际

1中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40nm以及55nm[J].电子工业专用设备,2009,38(10):65-65.
2中芯国际工艺技术延伸至40纳米以及55纳米[J].中国集成电路,2009,18(11):8-8.
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信息通信

2009年第6期

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