InGaAs/InP APD结构SCM研究

近日，中国科学院上海技术物理研究所有关InGaAs／InP雪崩二极管（APD）结构的扫描电容显微方法（SCM）研究工作发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）（Vol．95，093506）上，该工作得到了技物所三期创新项目资助。