摘要
本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。
A method for measuring interface characteristics of MOS structure is described. The interface state density, time constant, and capture cross-section with their energy distribution can be obtained. This method can also be used to study interface deep levels and oxide trap centers.
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990年第2期211-222,共12页
Journal of Nanjing University（Natural Science）
关键词
MOS
结构
界面
测量
C-V法
变频
MOS structure
variable-frequency C-V
interface states
deep level
oxide trap centers
