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IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术
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摘要
IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术,面向22nm及以下节点。在IEDM会议上,IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长,非常适合于低功耗应用。除了场效应管,IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
出处
《中国集成电路》
2010年第1期9-9,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
CMOS技术
SOI衬底
IBM
SOI工艺
研究人员
IEDM
研发中心
场效应管
分类号
TN912.3 [电子电信—通信与信息系统]
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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中国集成电路
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