期刊文献+

IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术

下载PDF
导出
摘要 IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术,面向22nm及以下节点。在IEDM会议上,IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长,非常适合于低功耗应用。除了场效应管,IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
出处 《中国集成电路》 2010年第1期9-9,共1页 China lntegrated Circuit
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部