Au/SiO_2/α-Si∶H中Au与α-Si∶H的相互作用研究

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摘要近年来对Ａｕ／α－Ｓｉ∶Ｈ系统分形及晶化方面的研究很多［１，２］，它们的共同点是双层膜蒸镀都在真空中一次完成，中间不离开真空室，硅分形易于形成且效果非常显著。而世纪之交的微电子技术的发展趋势是集成电路小型化，这就意味着集成电路中的ＳｉＯ２层将趋于超薄...

作者王雪文张志勇

机构地区西北大学电子科学系西安理工大学自控系

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期502-504,共3页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词半导体氢化非晶硅金分形薄膜晶化

参考文献1

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电子显微学报

1998年第5期

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