Si_(1-x)Ge_x/Si界面区的会聚束电子衍射研究

下载PDF

导出

摘要会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时，由于入射束不聚焦在试样平面上，可...

作者秦志宏柳得橹莫庆伟范缇文

机构地区北京科技大学材料物理系中国科学院半导体材料科学实验室

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期505-506,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词硅/锗硅薄膜会聚束电子衍射界面

1室温下应变Si1—xGex／Si量子阱的1.3μm电致发光[J].发光快报,1993,14(1):12-14.
2Si1—xGex／Si应变层格晶格生长研究[J].物理学进展,1993,13(1):203-214.
3F. Yan H. W. Zhang N.R. Tao K. Lu.Quantifying the Microstructures of Pure Cu Subjected to Dynamic Plastic Deformation at Cryogenic Temperature[J].Journal of Materials Science & Technology,2011,27(8):673-679. 被引量：4
4乔皓,徐至中,张开明.形变的SiGe合金中的深能级[J].应用科学学报,1996,14(3):313-317.
5乔皓,资剑,徐至中,张开明.形变超晶格Si/Ge的能带结构[J].物理学报,1993,42(8):1317-1323. 被引量：1
6YU Fengmei,CHEN Zhenlian,WANG Jun,ZOU Huamin.Experimental Measurement of Valence Electron Concentration of Icosahedral AlPdMn Quasicrystal[J].Wuhan University Journal of Natural Sciences,2009,14(3):223-228.
7郑有炓.Si(1-x)Ge_x/Si应变层超晶格生长研究[J].物理学进展,1993,13(1):203-214.
8姜礼华,谭新玉,肖婷,向鹏.硅/锗量子点空间分布的有序性及其制备技术[J].硅酸盐通报,2015,34(7):1871-1877.
9杨宇,夏冠群,赵国庆,王迅.Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响[J].物理学报,1998,47(6):978-984. 被引量：1
10张胜坤,蒋最敏,秦捷,林峰,胡冬枝,裴成文,陆方.电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移[J].Journal of Semiconductors,1999,20(2):139-142.

电子显微学报

1998年第5期

浏览历史

内容加载中请稍等...