TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析被引量：1

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摘要 γ－ＴｉＡｌ中所观察到的位错主要有（１／２）〈１１０］普通位错，（１／２）〈１１２］和［０１１］超点阵位错。Ｋａｄ等研究了ＴｉＡｌ合金层状组织层片界面的位错结构［１］，表明由于非１８０°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界，其中一类...

作者梁伟黄孝瑛郑维能

机构地区太原理工大学测试中心钢铁研究总院首都师范大学

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期515-516,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基金山西省自然科学基金

关键词位错电子衍射分析钛铝硅合金 Γ相晶体

同被引文献1

1李俊涛,郝士明.Ti－Al－Si三元系中叶α（α_2）／γ相平衡的研究[J].金属学报,1996,32(11):1171-1176. 被引量：1
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电子显微学报

1998年第5期

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