压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察被引量：1

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摘要晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...

作者吴亚桥徐永波

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期533-534,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基金国家自然科学基金

关键词压痕诱发 TEM 单晶硅非晶化相变

同被引文献9

1李井润,李志成,徐永波.压痕诱发GaAs单晶中的位错组态[J].中山大学学报（自然科学版）,2004,43(2):43-45.
2刘家璐,张廷庆.硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响[J].微电子学,1994,24(2):56-60.
3李井润,李志成,徐永波.压痕诱发GaAs单晶的塑性变形[J].电子科技大学学报,2004,33(1):59-62.
4李志成,刘路,贺连龙,徐永波.砷化镓单晶中微晶和非晶的形成机制[J].材料研究学报,2002,16(2):172-178.
5谢锋,刘剑霜,陈一,胡刚.硅中缺陷的透射电镜观察[J].半导体技术,2004,29(3):28-30. 被引量：1
6桑立雯,秦志新,方浩,代涛,杨志坚,沈波,张国义,张小平,俞大鹏.脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响[J].半导体技术,2008,33(S1):154-157.
7杨光.纳米ZnO的制备及其光电化学性质[J].淮北煤师院学报（自然科学版）,2003,24(2):17-20. 被引量：1
8孟宪权,程定军,胡明,张霞.InAs／AlAs／GaAs量子点的光致发光光谱研究[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(3):309-312.
9康俊勇,蔡端俊,肖细凤,沈耀文,沈波.Ⅲ族氮化物外延层中的缺陷[J].固体电子学研究与进展,2002,22(4):375-380. 被引量：1
10童玉珍,张国义,陈娓兮.MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性[J].应用基础与工程科学学报,1994,2(4):288-292. 被引量：3

电子显微学报

1998年第5期

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