期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

硅基GaN外延层微结构的HREM研究

下载PDF

导出

摘要由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将...

作者朱健民陈鹏沈波朱信华朱滔周舜华李齐

机构地区南京大学物理系固体微结构物理国家实验室

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期539-540,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基金南京大学固体微结构国家实验室开放课题攀登计划

关键词微结构 HREM GaW薄膜外延层薄膜

分类号 O484.1 [理学—固体物理] TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1王明光,李斗星,熊光成,叶恒强.YBCO/LCMO双层膜微结构的HREM研究[J].电子显微学报,2000,19(4):411-412.
2张庶元,谢毅,钱逸泰,张裕恒.纳米GaN的制备及HREM观测[J].电子显微学报,1996,15(6):499-499.
3陈弘,褚一鸣,李方华,杨大宇,王风莲.用HREM研究MBE生长GaAs/Si异质结的微孪晶[J].电子显微学报,1990,9(3):195-195.
4李斗星,平德海,叶恒强,纪小丽,吴希俊.纳米固体材料结构特征[J].电子显微学报,1993,12(2):158-158. 被引量：2
5宋祥云,马利泰,温树林,王卉,朱祖昌.半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究[J].电子显微学报,1990,9(3):197-197.
6朱健民,李齐,蒋冬梅.高能（Mev）As￣＋离子注入硅｛113｝缺陷的HREM研究[J].电子显微学报,1994,13(6):478-478.
7毛国民,陈坤基,严勇,陈峻,冯端.非晶态半导体多层膜的TEM及HREM研究[J].南京大学学报（自然科学版）,1989,25(3):42-49.
8朱健民,马国斌,陈志强,濮林,朱信华,周舜华,李齐.复合氧化物纳米粒子三维自组装的HREM研究[J].电子显微学报,2000,19(4):423-424.
9张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉.硅基GaN外延层的光致发光谱[J].半导体光电,1999,20(2):120-122. 被引量：8
10陈一,胡岗,郑国祥,严学俭,吴晓京.用于HREM分析的位错结构模型[J].电子显微学报,2006,25(B08):133-134.

电子显微学报

1998年第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部