摘要
ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1998年第5期547-548,共2页
Journal of Chinese Electron Microscopy Society
基金
国家自然科学基金
辽宁省博士后起动基金
沈阳市科委资助
