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高纯锗多晶材料的制备 被引量:10

Preparation of ultra-pure germanium polyerystalline material
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摘要 介绍了用国产材料进行锗区熔提纯的制备工艺,借助此工艺已获得净杂质浓度为~1010cm-3量级的多晶材料。 Ultra-pure germanium polycrystalline material with a net impurity concentration of 5 ×1010/cm3 (atoms) has been prepared by the zone refining mathod. All raw materials, reagents and facilities used in the preparation are made in China. The involved techniques are described.
作者 白尔隽
出处 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第9期558-561,共4页 Nuclear Techniques
关键词 高纯锗 区熔提纯 提纯 净杂质浓度 多晶材料 Ultra- pure germanium, Zone melting, Zone refining, Net impurity concentration
  • 相关文献

参考文献2

  • 1王季陶,半导体材料,1990年,117页
  • 2罗英浩(译),半导体材料及其制备,1986年,196页

同被引文献23

引证文献10

二级引证文献16

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