研究发现新的光致电阻效应

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摘要寻找新的电阻效应，实现大的电阻变化率一直是物理学和材料学领域的一个研究热点。最近一期的《先进材料》（Advanced Materials；DOI：10．1002／adma．200903070）报道了上海交大物理系王辉副教授课题小组的最新研究成果：基于金属-氧化物-半导体（MOS）结构的双极性电阻效应。该小组经过几年的实验研究发现，

出处《光机电信息》 2010年第1期37-37,共1页 OME Information

关键词电阻效应金属-氧化物-半导体光致电阻变化率先进材料研究成果上海交大材料学

分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TN386 [电子电信—物理电子学]

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