期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

980nm垂直腔面发射激光器的变温输出特性 被引量：2

980 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser Temperature-Change Output Characteristics
原文传递
导出
摘要 为了研究温度对980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出特性的影响,理论计算模拟了温度为365 K和400 K时980 nm VCSEL的功率-电流特性(P-I)曲线,计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果,依据实验结果分析了温度变化对器件输出特性的影响。 In order to study the effects of the temperature changes on 980 nm vertical cavity surface emitting laser（VCSEL） output characteristics,power-current（P-I） curves of 980 nm VCSEL under two temperature conditions（365 K and 400 K） were simulated,characteristic temperature of this device was calculated.The effects of the temperature changes on output characteristic were analyzed according to the experimental results,which authenticated the theoretical calculation result.
作者 梁雪梅 王烨 秦莉 李特 宁永强 王立军
机构地区 中国科学院长春光学精孝机械与物理研究所激发态物理重点实验室 中国科学院研究生院
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期87-91,共5页 Chinese Journal of Lasers
基金 国家自然科学基金(60577003,60636020,60676034,60706007) 中国科学院知识创新工程领域前沿项目资助课题
关键词 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 特征温度 温度变化 输出特性 semiconductor lasers vertical cavity surface emitting laser characteristic temperature temperature change output characteristics
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献12

  • 1Fang-I Lai, Tao-Hung Hsueh, Ya Hsien Changer al.. 10 Gb/s single-mode vertical cavity surface-emitting laser with large aperture and oxygen implantation [J]. Semicond. Sci. Technol. 2004, 19:L86-L89.
  • 2赵路民,王青,晏长岭,秦莉,刘云,宁永强,王立军.980nm高功率垂直腔面发射激光器[J].中国激光,2004,31(2):142-144. 被引量：21
  • 3Stephan Hunziker, Sven Eitel, Karlheinz Gulden et al.. VCSEL arrays [C]. SPIE, 2001, 4286 : 119- 126.
  • 4马莹,王成,缪同群.VCSEL直接倍频蓝光固态激光器的研究[J].光学精密工程,2005,13(3):253-259. 被引量：13
  • 5W. Nakwaski, M. Osinski. Thermal properties of verticalcavity surface-emitting semiconductor laser [J]. Progress in Optics, 1998, 38 : 165 - 168.
  • 6F. Koyama, S. Kinoshita, K. Iga et al.. Room temperature continuous wave lasing characteristics of GaAs vertical cavity surface-emitting lasers [ J]. Appl. Phys. Lett., 1989, 55:221-223.
  • 7K. D. Choquette, J. F. Klein, A. J. Fischer et al.. Room temperature continuous wave InGaAsN quantum well verticalcavity lasers emitting at 1.3 μm [J]. Electron. Lett. , 2000, 36(16) :1388-1390.
  • 8B. J. Piprek, T. Troger. Thermal conductivity reduction in GaAs-AlAs distributed Bragg reflectors [J]. IEEE Photon. Technol. Lett. , 1998, 10(1):81-83.
  • 9W. W. Chow, K. D. Choquette, M. H. Crawford et al.. Design, fabrication, and performance of infrared and visible vertical-cavity durface-emitting lasers [J]. IEEE J. Quantum Electron. , 1997, 33(10) :1810-1824.
  • 10Zou, D. L. Huffaker, D. G. Deppe. Ultralow threshold cryogenic vertical cavity surface emitting laser [J]. IEEE Photon. Technol. Lett. , 1999, 12(1) :1-3.

二级参考文献29

  • 1孙艳芳,金珍花,宁永强,秦莉,晏长岭,路国光,套格套,刘云,王立军,崔大复,李惠青,许祖彦.高功率底发射VCSELs的制作与特性研究[J].光学精密工程,2004,12(5):449-453. 被引量：15
  • 2吴荣汉,周增圻,林耀望,潘钟,黄永箴,李朝勇,牛智川,王圩.亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器[J].高技术通讯,1995,5(9):24-26. 被引量：4
  • 3Michael Miller, Ihab Kardosh. Improved Output Performance of High-power VCSELs [R]. Annual Report 2001, Dept. of Optoelectronics, University of Ulm. , 2001. 1-8.
  • 4Martin Grabherr, Michael Miller. Bottom Emitting VCSELs for High CW Optical Output Power [R]. Annual Report 1997,Dept. of Optoelectronics, University of Ulm. , 1997. 52-56.
  • 5Michael Miller, Martin Grabherr. kW/cm2 VCSEL Arrays for High Power Applications [R]. Annual Report 1999, Dept. of Optoelectronics, University of Ulm. , 1999. 94-100.
  • 6William J. Alford, Thomas D. Raymond, Andrew A.Allerman. High power and good beam quality at 980 nm from a vertical external-cavity surface-emitting laser [J]. J. Opt. Soc.Am. B, 2002, 19(4):663-666.
  • 7KARDOSH I. VOIGNIER V. Vertical extended cavity surface-emitting lasers [D]. Annual Report, Optoelectronics Department, University of Ulm, 2002.
  • 8伊贺键一 小山二三夫.面发射激光器基础与应用[M].科学出版社,共立出版,2002.32-33:114-115.
  • 9YOSHIKAWA T,KAWAKAMI T,SAITO H,et al. Polarization controlled single mode VCSEL[J]. IEEE J. Sel Topics in Quantum Electronics, 1998, 34(6): 1009-1015.
  • 10西安同维通讯技术有限公司.TOWIN自聚焦透镜使用说明书,2.0版[Z].,2002..

共引文献29

同被引文献31

  • 1晏长岭,秦莉,宁永强,张淑敏,王青,赵路民,刘云,王立军,钟景昌.GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算[J].激光杂志,2004,25(5):29-31. 被引量：10
  • 2渠红伟,郭霞,董立闽,邓军,达小丽,徐遵图,沈光地.垂直腔面发射激光器温度特性的研究[J].激光与红外,2005,35(2):83-86. 被引量：7
  • 3王小东,吴旭明,王青,曹玉莲,何国荣,谭满清.具有非均匀渐变界面DBR的光学特性分析[J].物理学报,2006,55(10):4983-4986. 被引量：6
  • 4W. W. Chow, K. D. Choquette, M. H. Crawford et al.. Design, fabrication, and performance of infrared and visible vertical-cavity surface-emitting lasers [J]. IEEE J. Quantum Electron. , 1997, 33(10): 1810-1824.
  • 5A. Valle, M. Sciamanna, K. Panajotov. Nonlinear dynamics of the polarization of multitransverse mode vertical-cavity surface- emitting lasers under current modulation [J]. Phys. Rev. E, 2007, 76(4): 046206.
  • 6A. Gatto, A. Boletti, P. Boffi et al.. Adjustable-chirp VCSEL to-VCSEL injection locking for 10-Gb/s transmission at 1.55 μm [J]. Opt. Express, 2009, 17(24): 21748-21753.
  • 7Z. Wang, Y. Ning, Y. Zhang et al.. High power and good beam quality of two-dimensional VCSEL array with integrated GaAs mierolens array[J]. Opt. Excpress, 2010, 18(23): 23900-23905.
  • 8K. Iga. Vertical cavity surface emitting laser.. Its conception and evolution[J]. Jpn. J. Appl. Phys. , 2008, 47(1) : 1-10.
  • 9R. H. Johnson, V. Blasingame, J. A. Tatum et al.. Long- wavelength VCSELs at Honeywell [ C ]. SPIE, 2003, 4994:222-234.
  • 10J. F. Seurin, G. Xu, V. Khalfin et al.. Progress in high-power high-efficiency VCSEL arrays[C]. SPIE, 2009, 7229:722903.

引证文献2

二级引证文献11

中国激光
2010年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部