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FZ硅单晶中氧对晶体寿命的贡献——少子复合机构的转变
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摘要
本文介绍了FZ硅单晶中由于氧的引入而引起晶体中微缺陷数量的变化,以及氧与微缺陷、杂质间的相互作用而形成络合物,使得硅中缺陷、杂质能级发生变化,而改变少于复合形式,从而使得晶体寿命随之变化.提出了特长寿命中少子复合的模拟.
作者
王炎
机构地区
峨眉半导体材料厂
出处
《四川有色金属》
1998年第4期23-26,共4页
Sichuan Nonferrous Metals
关键词
FZ硅单晶
晶体寿命
硅单晶
氧
少子复合
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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四川有色金属
1998年 第4期
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