电子器件的金刚石基衬底

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摘要本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，

出处《工业金刚石》 2009年第3期37-38,共2页

关键词金刚石合成电子器件衬底制造方法硅晶片半导体层金刚石层 CVD

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工业金刚石

2009年第3期

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