期刊文献+

基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光电源的设计 被引量:1

Design of Semiconductor Laser Pulse Driver Based on Avalanche Transistors
下载PDF
导出
摘要 介绍了一种基于时间延迟和雪崩晶体管的纳秒级窄脉冲半导体激光器电源,该电源主要由脉冲发生电路、雪崩电路组成。实践证明,该电源可以作为一种简单的纳秒脉冲产生装置,产生脉宽<30ns、峰值为1A的电流脉冲,用于驱动普通半导体激光器。 A nanosecond semiconductor laser pulse driver was designed based on avalanche transistor and time delay,mainly consisting of pulse generating circuit and avalanche circuit. The driver outputted current pulse with pulse wide〈30 ns and peak value of 1 A. It could be used to drive semiconductor lasers.
出处 《光机电信息》 2010年第2期32-35,共4页 OME Information
基金 黑龙江大学2009年度学生科技创新课题 项目编号46
关键词 半导体激光器 脉冲电源 雪崩晶体管 semiconductor lasers pulse driver avalanche transistor
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献6

  • 1于东海.采用雪崩晶体管产生窄脉冲[J].电子测量技术,1996,19(2):1-3. 被引量:3
  • 2Molina L L,Mar A,Zutravern F J,et al.Subnanosecond avalanche transistor drivers for low impedance pulsed power applications[A].28th IEEE International Conference on Plasma Science[C],2002:178-181.
  • 3Ari Kilpela,Jvha K.Laser pulser for a time-offlight laser radar[J].Review of Scientific Instruments,1997,68(6):2253.
  • 4Lan H.Working with avalanche transistors[J].Electronics World,1996,102(1720):219-222.
  • 5Liu J,Shan B,Chang Z H.High voltage fast ramp pulse generation using avalanche transistor[J].Review of Scientific Instruments,1998,69(8):3066.
  • 6Takashi J.Novel phenomenon of avalanche breakedown saturation with negative resistance in a bipolar transistor[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2002,49(1):120-124.

共引文献15

同被引文献9

引证文献1

二级引证文献5

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部