在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶

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摘要对α-石英类材料的主要兴趣是由于其良好的压电性质，除α-石英本身外，还有一族“通式”为A^ⅢB^VO4的化合物材料（此外A为Al，Ga，Fe，B；B为P和As）可用两个内相关角描述其结构畸变：内四面体跨角A-O-B，θ和四面体倾（斜）角δ。在非畸变四面体中，

作者邓志杰（摘译）

出处《现代材料动态》 2010年第1期5-6,共2页 Information of Advanced Materials

关键词结构畸变压电单晶 SIO2 化合物材料 Ge α-石英四面体压电性质

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2010年第1期

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