Inlustra开始进行非极性GaN生产

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摘要位于美国加州的Inlustra技术公司己开始出售a－面和m－面GaN衬底，它可明显提高在该种衬底上所生长的光电子器件的性能。该公司目前所供应的非极性GaN衬底的尺寸在5mm×10mm和10mm×20mm之间，但在2010年将扩大到直径2英寸并在2010年底将生产能力扩大到目前的3倍。

作者邓志杰（摘译）

出处《现代材料动态》 2010年第1期13-13,共1页 Information of Advanced Materials

关键词生产能力 GAN 非极性光电子器件美国加州衬底

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现代材料动态

2010年第1期

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