32nm及其以后工艺代的HK＋MG的稳步进展

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摘要芯片制造厂有多种办法“指向”32nm及其工艺代高k金属栅电介质（HK＋MG）CMOS。2008年在旧金山举行的国际电子器件会议（IEDM）上发表的相关论文表明：虽然“路径”不同，但一直在取得稳步进展。利用带金属栅高k不仅能恢复一定程度的“等比缩小”，且能使栅漏（电流）减小到原来的1／25（nMOS）和1／1000（pMOS）。

作者邓志杰（摘译）

出处《现代材料动态》 2010年第1期16-16,共1页 Information of Advanced Materials

关键词步进工艺芯片制造厂电子器件金属栅电介质旧金山

分类号 TN782 [电子电信—电路与系统] TN30 [电子电信—物理电子学]

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