期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
推出符合DrMOS规定的新款器件
下载PDF
职称材料
导出
摘要
日前,ViShay宣布,推出集成的DrMOS解决方案SiC762CD。在紧凑的PowerPAKMLP6x6的40脚封装内,该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC,以及阴极输出二极管。
出处
《电子与电脑》
2010年第3期36-36,共1页
Compotech
关键词
N沟道MOSFET
器件
信号优化
驱动IC
PWM
二极管
集成
封装
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
Vishay推出符合DrMOS规定的新款器件[J]
.中国集成电路,2010(3):6-6.
2
Vishay Siliconix推出符合DrMOS 规定的SiC762CD新型器件[J]
.电子元器件应用,2010,12(4):100-100.
3
符合DrMOS规定的DrMOS解决方案——SiC762CD[J]
.电子设计工程,2010,18(3):24-24.
4
FDMF68xx:DrMOS多芯片模块[J]
.世界电子元器件,2012(6):35-35.
5
高伟,张海志.
MCM技术在DC/DC转换器中的应用[J]
.混合微电子技术,2009(4):19-21.
6
贾萍舟.
阴极输出式功率放大器——提高瞬态响应的另一途径[J]
.无线电与电视,1998(4):40-43.
7
刘宝松.
无线通信网络常见干扰的分析及防范[J]
.中国电子商情(通信市场),2006(10):53-54.
8
SiC779CD:集成DrMOS解决方案[J]
.世界电子元器件,2011(6):30-30.
9
你所不知道的Vista[J]
.电脑时空,2006(6):53-53.
10
梁文权.
用FU-5制作阴极输出式胆机[J]
.无线电与电视,2012(2):53-54.
电子与电脑
2010年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部