残气对活性Mo场致发射阴极阵列发射特性的影响
出处
《光电子技术》
CAS
1998年第4期301-303,共3页
Optoelectronic Technology
-
1季旭东.残气对FEA发射特性的影响[J].光电技术,2000,41(1):49-52. 被引量：1
-
2王保平,谢吉华.场致发射阵列真空荧光平板显示屏的研究[J].电子器件,1992,15(2):101-104. 被引量：3
-
3陈章其,张世杰.银-氧-钾光电管内的残气研究[J].真空电子技术,1990,3(4):32-36.
-
4彭自安,冯进军.真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景[J].真空电子技术,1995,8(5):25-29. 被引量：4
-
5徐江涛.二代近贴管微通道板(MCP)电子清刷技术[J].应用光学,2001,22(4):23-25. 被引量：4
-
6周洪军,尉伟,洪义麟,徐向东,陶晓明,霍同林,付绍军,裴元吉.场致发射阵列制作工艺的研究[J].微细加工技术,2001(3):14-17. 被引量：1
-
7季旭东.在FEA中使用的MOSFET技术[J].光电技术,1999,40(2):74-79.
-
8李天英,朱长纯,薛耀国,张声良,单建安.大面积金属场致发射阴极阵列制造的新方法[J].电子学报,1996,24(11):48-51.
-
9赵宏卫,王保平,童林夙.真空微电子器件发射稳定性和可靠性概述[J].电子器件,1995,18(4):218-226.
-
10季旭东.FED的新材料——碳微管薄膜[J].光电子技术,2003,23(1):65-67. 被引量：1
;
