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英特尔大连芯片厂十月投产采用65纳米工艺
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摘要
英特尔近日宣布,其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。据悉,英特尔大连芯片厂的准备工作有条不紊,生产设备已陆续安装调试到位,而200多人的外籍专家团队和在美国培训的中国员工也已经回归大连,确保十月份工厂投产。
出处
《中国集成电路》
2010年第3期3-3,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
纳米工艺
芯片厂
英特尔
大连
投产
生产设备
安装调试
芯片组
分类号
TS952.83 [轻工技术与工程]
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