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英特尔大连芯片厂十月投产采用65纳米工艺

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摘要 英特尔近日宣布,其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。据悉,英特尔大连芯片厂的准备工作有条不紊,生产设备已陆续安装调试到位,而200多人的外籍专家团队和在美国培训的中国员工也已经回归大连,确保十月份工厂投产。
出处 《中国集成电路》 2010年第3期3-3,共1页 China lntegrated Circuit
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