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三星首家量产40nm级工艺4GbDDR3绿色内存芯片

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摘要 三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO—DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功耗相比于上一代产品降低35%,能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
出处 《中国集成电路》 2010年第3期8-9,共2页 China lntegrated Circuit
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